随着移动设备对于充电速度和充电效率的需求不断提升，氮化镓（GaN）技术在电源适配器领域的应用日益广泛。与传统的硅（Si）相比，GaN作为第三代半导体材料具有更宽的间隙和更高的击穿电压，因而能够在紧凑的空间体积内提供更高的功率密度。针对这一特点，大联大诠鼎基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W电源适配器方案，可为用户带来高效、轻便的充电体验。

INN700D140C和INN700DA140C均耐压为700V的增强型氮化镓晶体管，其中，INN700D140C采用DFN88封装，INN700DA140C采用DFN56封装，两款器件均适用于高功率应用。它们支持极高的开关频率，具有零反向恢复电荷，可大幅减少切换损耗，从而提高整体能效。同时，器件拥有极低的栅极电荷和输出电荷，可进一步优化驱动功率消耗和提升开关效率。

本方案应用领域广泛，不仅可以为手机、平板、笔记本电脑提供快速充电功能，还能够满足家庭场景中对高功率设备的充电需求，例如电视、电动工具、游戏机、LED灯和投影仪等。借助INN700D140C和INN700DA140C，方案在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比，在相同的300W输出功率下，本方案可将产品体积缩减30%，功率密度提高8W/in3。

核心技术优势：
同等规格下功率密度和效率达到业内先进水平；
选用一块双面板，加工简单，为客户提供低成本设计方案；
开拓大功率氮化镓电源应用在适配器市场中的应用。

方案规格：
尺寸：158mm×60.5mm×20mm；
效率：95.72%@230Vac；
功率密度：25.7W/in3。