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　　此次，三菱电机将推出配备SiC-MOSFET或RC-IGBT（Si）的J3系列紧凑型模块，作为在汽车市场得到广泛应用的T-PM的一代产品，这两种模块使用相同的封装，使xEV驱动电机逆变器能够进一步缩小尺寸。
浩亭官网　　美光展示了9550 SSD应对不同AI工作负载方面的数据表现：当使用 BaM 进行 GNN 训练时，SSD 平均功耗降低43%，整体系统能耗减少29%；应用于NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage时，每传输 1TB 数据，SSD 能耗降低81%；应用于MLPerf训练时， SSD 能耗降低35%，系统能耗降低13%；使用 Microsoft DeepSpeed 对 Llama LLM 训练进行微调时，SSD 能耗降低21%。
ISM330BX IMU亮相于2024年德国纽伦堡传感器及测试测量展览会(Sensor and Test 2024 event)，揭示工业运动传感的未来发展趋势。在发布会上，意法半导体带来了一场富有洞察力的主题演讲，探讨 ISM330BX 在机器人监测方面的技术创新，及其在改变动作感测应用未来方面的潜力。

　　“LPDDR5X DRAM在具备卓越的移动端低功耗性能的同时，还能在超轻薄的封装中提供先进的热管理功能，为高性能端侧AI解决方案树立了新标准。”三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongCheol Bae表示。“三星将持之以恒地与客户密切合作，不断创新，提供能够满足符合时代的低功耗DRAM解决方案。
德州仪器推出适用于250W电机驱动器的650V 三相 GaN IPM（智能电源模块）DRV7308，这是德州仪器首次推出采用氮化镓材料的智能电源模块。相较于硅基IGBT和MOSFET，该产品实现功耗降低50%。
浩亭官网　　LXI型号65-200平台还允许用户加载预设置的测试序列，并通过软件或硬件触发器对它们进行控制，与标准的软件驱动程序控制方式相比，节约了测试时间。这些测试序列存储在本地LXI控制器上，减轻了主机CPU和以太网流量的负担，限度地降低了整体系统延迟。这些功能将优化半导体测试的体验，因为在半导体测试中，每个被测设备可能需要测试数千次。
。在台积电2024北美技术研讨会上，M31展示了两大产品线，包括标准单元、内存编译器、GPIO、专用I/O等基础IP，以及当前应用市场的高速接口IP ，例如 PCIe 5.0 PHY、ONFi 5.1 I/O、LPDDR4/4X PHY 和 LPDDR5/5X PHY。M31还推出了5nm MIPI C/D PHY Combo IP，符合的D-PHY v2.5和C-PHY v2.0规范。该 IP 提供高性能、低功耗解决方案，每通道速度高达 6.5Gb/s，每三重组速度高达 6.5Gs/s，总速度高达 44.5Gb/s，满足当前对高性能的需求。速度数据传输，特别适用于移动通信、汽车、人工智能（AI）和物联网（IoT）。
　　Pasternack 1.0 mm 无源同轴组件均是现货库存且品类齐全，并且这些器件采用坚固的机械设计，确保了的信号相互作用，同时提供低插入损耗和优异的回波损耗特性。

　　推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子保险丝。 这种创新设计可利用嵌入式保险丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。
浩亭官网　　碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ? 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。
ACS37030/2 在市场上开创先河，既能提供足够快的响应速度来实现高速 SiC 和 GaN 保护，又能为电源转换控制提供良好低频输出。现在设计人员能够更好地利用GaN和SiC架构，并减少系统占用空间。
　以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。