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与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
jst官网　　碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ? 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。
　　据市场研究公司 TrendForce 称，GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段，内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量，目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”，TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。

　　新的VELVET SOUND技术提高了产品电气性能和稳定性，相比上一代AK4490和AK4493，以更低的功耗实现了丰富的“信息量”和“跃动感”。
　　得益于思特威先进的SmartGS?-2 Plus技术与优异的像素结构设计，SC538HGS有着较高的满阱容量与图像信噪比，其信噪比高达42.17dB，优于市场同规格竞品。更高的信噪比能够帮助摄像头捕捉到细节更干净、清晰的图像，减少画面干扰，从而提升检测识别速度。
新的封装选项提供了与 nRF7002 QFN 版本相同的功能，但基底面缩小了 60% 以上，使 WLCSP 成为下一代无线设备高效、尺寸受限设计的理想选择。
AIROC CYW89829低功耗蓝牙MCU是该半导体产品系列中的汽车部件，具有强大的射频性能、长距离和的蓝牙5.4功能，包括带响应的周期性广播（PAwR），是汽车接入和无线电池管理系统（wBMS）应用的理想之选。
无论是Galaxy Z Fold系列那令人震撼的超大屏幕，还是Galaxy Z Flip系列独具匠心的大视野智能外屏，亦或是折叠屏产品标志性的立式交互模式，都让用户在使用过程中感受到了前所未有的便捷与高效。

　　GM12071 是一款低静态电流、LDO 线性稳压器，采用 1.9 V至 20 V 电源供电，输出电流为 500 mA。满负载时静态电流典型值低至 710μA。室温时，关断模式下的功耗典型值仅为 1.1 μA。
jst官网ISM330BX 还集成了意法半导体的边缘处理引擎。该边缘处理器整合了机器学习核心 (MLC)、人工智能 (AI) 算法和有限状态机 (FSM)，可减轻主处理器的运算量，降低系统能耗。
基于丰富的工业机器人经验和长期的汽车零部件智能装备经验，以及前期对人形机器人需求的深度调研，目前公司机器人研究院形成的关键传感器套件可以覆盖大部分的生产制造工况需求，产品在参数、性能、成本等各个方面具备技术先进性和竞争力。
传统方法通常采用调节脉冲宽度调制 (PWM) 占空比的方法来改变电流强度，会占用大量 MCU 资源。软启动方式能避免瞬态电流冲击，不占用 MCU 的状态和资源，还可以自主设置参数，让整个系统更加灵活高效。