phoenix端子

推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用；以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。
phoenix端子对于需要比MCU板载RAM更多的RAM但又希望降低成本和减小电路板总尺寸的工程师来说，串行SRAM是一种很受欢迎的解决方案。Microchip的2 Mb和4 Mb串行SRAM器件旨在以简便且具有成本效益的替代方案取代昂贵的并行 SRAM。
　　与SPI版本一样，英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性，例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。

　　HIPS（高抗冲聚苯乙烯）可溶于柠檬烯，用于支撑 ABS，以及打印轻质物体。
　　TPE（热塑性弹性体），比此例中的 TPU 更有弹性（肖氏硬度 83A），高度耐用且抗疲劳，工作温度范围为 -30 至 140°C。
　　ASA 是一种抗紫外线的 ABS 替代品，其抗冲击性和耐热性几乎与 ABS 相同。适合户外应用，打印时气味较小。
随着碳化硅市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。与传统模拟解决方案相比，该解决方案通过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。
phoenix端子　　除了2000 V CoolSiC MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC?二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC?二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。
Espressif Systems ESP32-H2-MINI-1x模组采用ESP32-H2片上系统 (SoC)，该芯片搭载32位RISC-V单核CPU，工作频率高达96MHz，同时具有低功耗智能协处理器，可持续监测外设以提高能效。ESP32-H2集成了多种协议（I2C、I2S、SPI、UART、ADC、LED PWM、ETM、GDMA、PCNT、PARLIO、RMT、TWAI、MCPWM、USB串口/JTAG）、温度传感器、通用定时器、系统定时器和看门狗定时器，以及多达19个GPIO。
此外，更高的光子通量能促进生物量增加并缩短作物生长周期。测试表明，OSCONIQ P3737在运行102,000小时后，仍能保持90％的光输出，在所有LED植物照明灯具中拥有长的使用寿命。

同时，包括ECU在内的LDO后级器件在工作期间，负载电流容易产生波动，因此需要优异的负载响应特性。而另一方面，要想改善这些特性，提高频率特性中的频率是非常重要的，然而对于LDO, 很难实现在确保有助于电源响应性能的相位裕度的同时，将频率特性提高至更高频段。ROHM利用高速负载响应技术“QuiCur”解决了这一课题，大大提升了新产品的响应性能。
phoenix端子　　为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）扩展了旗下串行SRAM产品线，容量可达4 Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI）的速度提高到143 MHz。新产品线包括提供2 Mb和4 Mb两种不同容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。
　　车规级PSoC4100S Max通过了AECQ-100，能够承受高达125 °C的环境温度，还支持ASIL-B（达到ISO 26262标准），可帮助集成商实现汽车应用的系统级合规。由于得到英飞凌ModusToolbox?开发平台的支持，开发者能够通过该器件轻松实现各种用例。
单列直插式封装(SIP)舌簧继电器提供高达2A的开关电流，输出功率高达60w；或1A开关电流，功率高达80w，连续承载电流高达3A。此外，它还具有耐高压能力，10W功率水平下开关电压可达1000VDC，耐压可达3kV。