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针脚间距：常见的针脚间距为1.00mm。
引脚数量：系列中可能有不同的引脚配置，提供多种连接选项。
封装形式：通常为表面贴装（SMD），适合自动化组装。
安装方式：适用于PCB板之间的垂直或水平连接。
材料：常用塑料外壳和金属引脚，具备良好的电气性能和机械稳定性。
应用领域：广泛用于电子设备、通信设备和计算机系统中。
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MiNexx3000具有创新的设计和卓越的功能，在精度、效率和集成能力方面树立了新的标准。这一新的解决方案是为满足采购经理、质量经理、工艺经理以及产品和技术经理日益增长的需求而开发的。

　　PIC32CZ CA MCU还支持安全启动功能，以验证应用代码的真实性和完整性，防止恶意篡改。此外，PIC32CZ CA90的加密硬件还用于验证应用代码及其散列的签名。这种多层次的安全方法可确保器件只执行经过验证且未经篡改的代码，有助于防止未经授权的访问或篡改。
作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
德尔福官网中国　　无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压；在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。
　　该器件将电子元件和传感器集成到一个标准的SO16 IC封装中。其中压阻元件配置为惠斯通电桥，电桥输出经放大后传送到模数转换级。然后，经16位数字信号处理器 (DSP) 进行温度补偿，并通过数模转换器提供模拟电压输出。模拟输出可以与现有标准传感器直接互操作，同时又保留了新型MEMS器件的优势。
　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。

　　此外，MULTI-BEAM XLE 连接器采用更薄的外壳设计，整体上减少了 PCB 上的空间占用，并提供了小功率端子版本，这也是业界公认的通用电源模块（UPM）端子。
德尔福官网中国　　RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
　　nRF9151 是一款预和高度集成的紧凑型器件，包含由 Nordic Semiconductor 研发的系统级芯片 (SoC)、电源管理和射频前端。与 nRF91 系列的前代产品相比，这款新产品专为提高供应链弹性而设计，占板面积减少了 20%，可以在不影响性能的情况下实现更紧凑的产品，这对于可穿戴设备、智能传感器和其他空间受限的物联网应用特别有利。
　　新型热敏电阻符合AEC-Q200标准，具有自我保护功能，无过热危险，主要用于各种过载保护，包括AC/DC和DC/DC转换器、抛负载、DC-Link、电池管理、紧急放电电路、车载充电器、家庭储能系统、电机驱动以及焊接设备。元件可承受至少10万次浪涌循环，以及在25 kW功率条件下（不触发跳变）具备高度迅速的恢复能力。