日本广濑连接器
意法半导体推出了 STeID Java Card智能卡平台，以满足电子身份 (eID) 和电子政务应用的要求。鉴于采用安全微控制器生成的电子身份文件在打击身份造假方面发挥的作用日益重要，现在，SteID软件平台可以帮助开发者加快部署先进电子身份证解决方案。该平台通过了通用标准 EAL 6+ ，包括安全操作系统 STeID JC Open OS 和一系列专有小程序。
日本广濑连接器 Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。
该公司表示：“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时，专注于通过低Qg（总）和低Qgd来实现高效率。然而，Nexperia认为Qrr同样重要，因为它会影响尖峰效应，进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰（EMI）量。
借助独特的绕线结构和制造工艺，这些变压器实现了高于传统平面变压器的铜填充因子，因此在封装尺寸、效率和功率密度方面都有所改进。SGTPL-2516系列的绕线技术便于根据特定的设计需求调整工作电压、感值、功率、封装尺寸和高度，无需支付前期的工具费用。除了MIL-STD-981标准S级A组和B组筛选外，这些器件还提供P级筛选，用于设计验证测试和其他的定制筛选选项。
通常，汽车系统中电子设备的寿命与其工作的温度直接相关，为了确保车辆持久耐用，如功率级场效应晶体管等组件能够长时间正常运行，温度传感器必须保证极高可靠性且漂移量。而传感器材料会影响漂移量，比如基于硅的温度传感器几乎无时漂现象，而电阻式温度传感器的漂移范围大概为每年±0.1°C ~±0.5°C，传统的负温度系数（NTC）热敏电阻的温漂通常会随时间而超过5%（不包括外部组件的漂移）。同时，随着系统的老化，温度传感器误差的增加，会限制系统效率并迫使其提前关闭或导致组件的热损坏。
OCH1970VAD-H设计了虚通道可配置磁传感器架构，实时修调静态输出电压、带隙基准、灵敏度热敏偏移、内部偏置点、输出钳位电压等性能参数，为芯片灵活的失调消除和精度匹配奠定基础。
日本广濑连接器 相较于分立式设计，IHB架构可减少50%的元件数量和30%的PCB空间。新IC还能使逆变器进入睡眠模式，将驱动器功耗降至10mW以下。这意味着在规定的待机功耗限值下，可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多宝贵的功率。
DC/DC 1A30V高效同步降压转换器是一种高频、同步、整流、降压、开关模式转换器，内置功率MOSFET。它可以在宽输入电源范围内实现1.5A峰值输出电流，并具有出色的负载和线路调节性能。此外，该转换器需要少数量的现成外部元件，并采用节省空间的SOT23-6封装。
基于丰富的工业机器人经验和长期的汽车零部件智能装备经验，以及前期对人形机器人需求的深度调研，目前公司机器人研究院形成的关键传感器套件可以覆盖大部分的生产制造工况需求，产品在参数、性能、成本等各个方面具备技术先进性和竞争力。
1. 游戏数量基于平均每个游戏36GB计算。实际游戏数量根据文件大小、格式、其他程序等因素变化。
2．基于内部测试。在铺有地毯的混凝土地面上，1TB和2TB容量规格抗跌落保护可达1.2米；4TB、5TB和6TB容量规格抗跌落保护可达1米。抗冲击强度可达453公斤。IEC 60529 IP54：经测试可承受飞溅的水侵入外壳；有限的灰尘接触不会干扰操作。使用前必须保持产品清洁和干燥。
日本广濑连接器 与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
在振动频率为10Hz-2000Hz，加速度147m/s?的振动测试中，产品瞬断时长≦1μs。满足高频振动环境下，设备对连接器公母端子间的接触稳定性要求。
仪表不仅支持传统的 10 MHz 参考频率，用户还可选择 1 MHz 至 100 MHz 以及 1 GHz 参考频率信号。可选的高输出功率选件在 20 GHz 时测量值为 25 dBm，在 40 GHz 时测量值为 19.5 dBm，选件可通过激活码激活，因此用户可随时安装。考虑到仪器新增覆盖微波频率范围，R&S SMB100B 微波信号发生器保持重量轻（10.7 千克），结构紧凑，在 19 英寸机架上高度仅占两个单元的优势。